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SP-MSM-4CZ四電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐是一款高質量的布里奇曼單晶生長爐，高溫度可達1650℃。此款設備可生長出各種金屬單晶，目前本公司用此款設備已經(jīng)生長出Cu,Ag,Au,Fe和Mg等單晶，其直徑可達37mm。電動坩堝放置系統(tǒng)，方便與放樣和取樣。SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐適合于生長各種金屬，氧化物等晶體，也和作為多晶棒定向凝固使用。

OTF-1200X-S-VT-BMGH是一款小型的1100℃布里奇曼單晶生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下生長小尺寸的晶體。

高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件，適用于高真空狀態(tài)下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結、熔化，也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作，如硬質合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。

4“管式退火爐OTF-1200X-4-VTQ是一款立式可開啟真空管式淬火爐，配有一個密封的液體容器用于樣品淬火，樣品可從Z高溫度1200℃環(huán)境到冰水或冷油中，可用于研究材料相轉變和微結構性能。

1700℃立式淬火爐GSL-1700X-80VTQ采用直徑80mm的氧化鋁爐管、下置淬冷水箱結構，專為淬火樣品能從高溫狀態(tài)進入冷水或油等淬冷介質中快速冷卻而設計，以研究材料階段性過渡和微觀結構。